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武汉天源投建高纯铟与磷化铟多晶生产基地

  • 分类:行业动态
  • 发布时间:2026-10-15
  • 作者:国净供应链
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10月14日,环保企业武汉天源集团股份有限公司(以下简称“武汉天源”)发布公告称,公司拟在云南楚雄高新区,投资建设年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目。


公告显示,该项目计划总投资约5亿元,规划用地面积约45亩,主要建设内容为6N/7N级高纯铟、磷化铟多晶生产线、办公楼及其他相关附属配套设施。


项目由公司新设全资子公司负责投资、建设与运营,达产后形成6N/7N级高纯铟200吨/年、磷化铟多晶100吨/年的生产能力,项目分高纯铟生产系统(约15亩)与磷化铟多晶生产系统(约30亩)两部分布置,配套建设洁净厂房、超纯水车间、研发中心及环保处理设施。


资料显示,武汉天源是一家集技术研发、项目投资、工程建设、装备制造、运营服务于一体的综合性环保能源企业,主业聚焦环境治理与绿色能源两大领域,是一家集技术研发、项目投资、工程建设、装备制造、运营服务于一体的综合性环保能源企业。


财报显示,今年上半年,武汉天源归母净利润同比下滑40.95%,业绩承压。武汉天源在公告中提到,半导体新材料将作为公司未来重点发展方向,与原有环保、绿色能源业务形成周期互补,构建双轮驱动格局。


值得一提的时,这是武汉天源继收购中讯半导体(江苏)有限公司后,在半导体材料领域的又一布局。今年8月,为满足人工智能算力、800G/1.6T光模块及新一代光通信产业对化合物半导体材料的刚性需求,武汉天源完成了对中讯半导体的收购,取得其60%控股权。


中讯半导体主营磷化铟等化合物半导体衬底材料的研发、生产与销售,已具备单晶磷化铟等光电子半导体材料2—4英寸的生产技术条件。